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NXP Semiconductors
PESD2CAN
CAN bus ESD protection diode
6. Characteristics
Table 8. Characteristics
T amb = 25 ? C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
-
-
24
V
I RM
V BR
C d
reverse leakage current
breakdown voltage
diode capacitance
V RWM = 24 V
I R = 1 mA
f = 1 MHz; V R = 0 V
-
26.2
-
<1
28
25
10
30.3
30
nA
V
pF
V CL
r dif
clamping voltage
differential resistance
I PP = 1 A
I PP = 5 A
I R = 1 mA
[1][2]
[1][2]
-
-
-
-
-
-
34
41
300
V
V
?
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 ? s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1 to 3 or 2 to 3.
8.0
I PP
(A)
6.0
006aaa937
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
001aaa193
0.8
4.0
0.4
2.0
0
0
25
30
35
40
V CL (V)
45
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ? C
Fig 3.
Peak pulse current as a function of clamping
voltage; typical values
Fig 4.
Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical
values
PESD2CAN
Product data sheet
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Rev. 2 — 27 September 2012
? NXP B.V. 2012. All rights reserved.
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